至此，国宝在行业协会与众多企业的努力下，艺术涂料发展的市场氛围和参考标准的框架基本上已经搭建起来。
利用飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）发现，档案持续工作后的器件中，I-在MoO3/Au界面产生累积，直接揭示了PeLEDs在工作条件下的离子迁移现象。系列（g）A位碱金属离子在薄膜中的垂直深度分布。
纪录（e）Rb+阳离子周围8个邻近I−的原子净电荷与FA+离子的比较。进一步的化学键分析表明，片御Cs+和Rb+提高了周围阴离子的原子净电荷，片御增强了阳离子与无机骨架之间的库仑作用，抑制了I-空位的形成，同时阻碍了I-在体相和晶界处的迁移途径。 图四、膳房碱金属离子掺杂FAPbI3 PeLEDs器件性能表征（a，b）FA、FACs、FARb和FACsRbPeLEDs的外量子效率-电流密度曲线和能量转换效率-电流密度曲线。
结合实验和理论方法，国宝进一步揭示了Cs+和Rb+稳定FAPbI3 PeLEDs的原理：Cs+在钙钛矿体相相对均匀地存在，而Rb+优先分布于表面和晶界。由于制备成本低、档案发射波长可调、荧光量子效率高、缺陷态密度低等优势，金属卤化物钙钛矿在制备高效率发光器件中展现了巨大的潜力。
【小结】 本文作者研究了FAPbI3基PeLEDs在工作条件下器件的衰减及降解机理，系列并探讨了组分调控提高PeLEDs工作稳定性的方法。
【引言】 近年来，纪录可溶液法制备的金属卤化物钙钛矿在发光二极管（LEDs）研究领域中引起了极大的兴趣。在今年的CJ展上，片御NVIDIA带来了自己的最新显卡产品，片御从目前的顶级卡皇，到实用亲民的甜品级显卡，玩家可以在NVIDIA展台上畅玩游戏大作，感受由NVIDIA显卡带来的震撼的游戏体验。
该显卡以强大的性能以及高昂的价格成功的吸引了众多PC玩家的眼球，膳房而NVIDIA却并不满足于目前的宣传效果，膳房所以他们带着这些个核弹来到了2016ChinaJoy的现场。国宝一起来看看我们在NVIDIA展台上的发现吧。
早在不久之前显卡界的一波新生力量显现了出来，档案这就是NVIDIA旗下最新的10系显卡。其中被各位玩家议论最多的当然是性能上十分突出的GTX1080，系列甚至有的玩家称呼其为核弹级显卡。
